Infineon英飛凌IPC100N04S5-1R2汽車級MOSFET
發(fā)布時間:2024-07-17 08:55:42 瀏覽:129
英飛凌(Infineon)的IPC100N04S5-1R2是一款專為汽車應(yīng)用設(shè)計的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,隸屬于OptiMOS? 5系列。該器件通過了AEC-Q101認(rèn)證,確保其在汽車環(huán)境中的可靠性和穩(wěn)定性。其主要特點(diǎn)包括極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))僅為1.2 mΩ,以及高達(dá)100 A的連續(xù)漏極電流(ID),使其非常適合高效率和高性能的汽車系統(tǒng)設(shè)計。
主要特點(diǎn):
N溝道增強(qiáng)型模式:適用于正常電平操作。
AEC-Q101認(rèn)證:確保汽車級質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。
低導(dǎo)通電阻:1.2 mΩ,有助于降低功耗和提高效率。
高連續(xù)漏極電流:100 A,支持高負(fù)載應(yīng)用。
MSL1等級:適用于260°C的回流焊接。
寬工作溫度范圍:-55°C到+175°C,適應(yīng)極端環(huán)境。
環(huán)保:符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
100%壓敏測試:確保產(chǎn)品質(zhì)量。
產(chǎn)品概要:
漏源電壓(VDS):40 V
最大導(dǎo)通電阻(RDS(on),max):1.2 mΩ
連續(xù)漏極電流(ID):100 A
封裝類型:
封裝:PG-TDSON-8-34
標(biāo)識符:5N041R2
最大額定值:
持續(xù)漏極電流:100 A (在TC=25°C, VGS=10V時)
脈沖漏極電流:400 A
單次脈沖雪崩能量:480 mJ (在ID=50A時)
漏源電壓:40 V
柵源電壓:±20 V
功耗:150 W (在TC=25℃時)
工作及貯藏溫度:-55°C到+175°C
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