超碰人妻,免费白浆电影在线观看,日本不卡免费,欧美一道高清一区二区三区

供應(yīng)Connor-Winfield溫度補(bǔ)償晶體振蕩器TCXO

發(fā)布時(shí)間:2023-12-20 16:04:44     瀏覽:312

  TCXO是溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(Temperature Compensated Crystal Oscillator)的簡(jiǎn)稱,它是一種用于精確時(shí)鐘信號(hào)和頻率穩(wěn)定性的電子元件。Connor-Winfield是一家美國(guó)公司,專門生產(chǎn)和提供各種類型的晶體振蕩器和時(shí)鐘產(chǎn)品。

  溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)是為了解決普通晶體振蕩器在不同溫度下頻率漂移的問題而設(shè)計(jì)的。一般來說,普通的晶體振蕩器在溫度變化時(shí)會(huì)導(dǎo)致頻率的偏移,而TCXO通過使用溫度傳感器和相應(yīng)的補(bǔ)償電路來調(diào)整振蕩器的頻率,以實(shí)現(xiàn)溫度穩(wěn)定性。這樣就可以在不同的環(huán)境溫度下保持較為準(zhǔn)確和穩(wěn)定的振蕩頻率。

  Connor-Winfield的TCXO產(chǎn)品具有高精度、低相噪聲、高穩(wěn)定性等特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)、無線電設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。封裝類型具有Clipped Sine 和/或HCMOS輸出和商業(yè)到擴(kuò)展或 工業(yè)溫度范圍。

  產(chǎn)品選型:

  3.2x2.5mm 表面貼裝型

零件編號(hào)產(chǎn)品類型邏輯系列封裝頻率穩(wěn)定性頻率容差頻率校準(zhǔn)電源電壓頻率范圍溫度范圍拉力范圍關(guān)鍵詞
C1x 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 3.2x2.5毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm2.5 Vdc10 MHz 至 40 MHz-30 至 85°C不適用低成本
C3x 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 3.2x2.5毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz 至 40 MHz-30 至 85°C不適用低成本
CAx 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 3.2x2.5毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm2.8 Vdc10 MHz 至 40 MHz-30 至 85°C不適用低成本
D32G
TCXO系列Clipped SinewaveSM 3.2x2.5毫米+/-0.5ppm不適用+/-1.0ppm3.3 Vdc16.368MHz、19.2MHz、26MHz、32.736MHz-30 至 85°C不適用低成本


  5x3.2mm 表面貼裝型

零件編號(hào)產(chǎn)品類型邏輯系列封裝頻率穩(wěn)定性頻率容差頻率校準(zhǔn)電源電壓頻率范圍溫度范圍拉力范圍關(guān)鍵詞
D53G
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc20 兆赫、26 兆赫-30 至 85C不適用不適用
M100F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x3.2毫米+/-100ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz0 至 70C不適用不適用
M170F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x3.2毫米+/-100ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz-20 至 70C不適用不適用
M200F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x3.2毫米+/-200ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz-40 至 85C不適用不適用
M30x
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.28ppm+/-4.6ppm不適用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 85C不適用第 3 層
M31x TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm不適用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 85C不適用固定頻率
M32x TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 85C不適用固定頻率
M4 TCXO 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm2.5 Vdc6.4 至 40 MHz-30 至 85C不適用固定頻率
M50 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.28ppm+/-4.6ppm不適用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 70C不適用第 3 層
M51 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm不適用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 70C不適用固定頻率
M52 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 70C不適用固定頻率
M60 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.28ppm+/-4.6ppm不適用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-40 至 85C不適用國(guó)際電聯(lián)
M61 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm不適用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-40 至 85C不適用固定頻率
M62 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-40 至 85C不適用固定頻率
M632TCXO系列LVCMOS公司SM 5x3.2毫米+/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 至 50 MHz-40 至 85C不適用不適用
M7 TCXO 系列TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-30 至 85C不適用固定頻率
M70 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.28ppm+/-4.6ppm不適用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-20 至 70C不適用國(guó)際電聯(lián)
M71 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm不適用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-20 至 70C不適用固定頻率
M72 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-20 至 70C不適用固定頻率


  5x7mm 表面貼裝型

零件編號(hào)產(chǎn)品類型邏輯系列封裝頻率穩(wěn)定性頻率容差頻率校準(zhǔn)電源電壓頻率范圍溫度范圍拉力范圍關(guān)鍵詞
CSB1x系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.20ppm不適用+/-0.5ppm3.3 Vdc10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫-40 至 55C不適用Cospas-Sarsat信標(biāo) C/S T.001 C/S T.007
CSB21
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.20ppm不適用+/-0.5ppm3.3 Vdc10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫-20 至 55C不適用Cospas-Sarsat信標(biāo) C/S T.001 C/S T.007
CSB2x系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.20ppm不適用+/-0.5ppm3.3 Vdc10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫-20 至 55C不適用Cospas-Sarsat信標(biāo) C/S T.001 C/S T.007
D75A
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm不適用+/-1.0ppm3.3 Vdc10兆赫、12.8兆赫、19.2兆赫、20兆赫0 至 70C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
D75AS
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.25ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc20兆赫0 至 70C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
D75F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.5ppm不適用+/-1.0ppm3.3 Vdc13 兆赫、19.44 兆赫、25 兆赫、27 兆赫0 至 70C不適用家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1
D75J
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-1.0ppm不適用+/-1.0ppm3.3 Vdc38.88兆赫,40兆赫,50兆赫0 至 70C不適用家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1
DV75C
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 Mhz、12.8 MHz、20 MHz、25MHz 和 40MHz-40 至 85C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
DV75D
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-1.0ppm不適用+/-1.0ppm3.3 Vdc10 兆赫、12.8 兆赫、20 兆赫-40 至 85C不適用家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1
T100F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-100ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz0 至 70C不適用小基站,G.8262
T200F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-200ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz-40 至 85C不適用小基站,G.8262
T200FA
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.20ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10.0兆赫-40 至 105C不適用提高性能
T3x2 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz0 至 85C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
T3x3 TCXO 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 85C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
T5x2 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz0 至 70C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
T5x3 TCXO 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 70C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
T602
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 50 MHz-40 至 85C不適用家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1
T602A
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10.0MHz 和 24.576MHz-40 至 105C不適用提高性能
T6x2 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 54 MHz-40 至 85C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
T6x3 TCXO 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 54 MHz-40 至 85C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
T7x2 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 54 MHz-20 至 70C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
T7x3 TCXO 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 54 MHz-20 至 70C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
TA5 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm+/-5.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz0 至 70C不適用家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1
TA6 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm+/-5.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz-40 至 85C不適用家庭基站, 測(cè)量, 儀器儀表, RTC, G.813Opt 1
TB602
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 Mhz 至 50 MHz-40 至 85C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
TCXO-EVAL-T BOARD
TCXO系列LVCMOS/HCMOS/正弦波SM 5x7mm不適用不適用不適用3.3 或 5.0 Vdc5x7mm T 系列 TCXO 和 VCTCXO 評(píng)估板-40 至 85C不適用STRATUM 3E 層
TV100F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-100ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz0 至 70C不適用IEEE1588,小基站,G.8262
TV200F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-200ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz-40 至 85C不適用IEEE1588,小基站,G.8262
TV5x2 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 40 MHz0 至 70C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
TV5x3 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 40 MHz0 至 70C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
TV6x2 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 40 MHz-40 至 85C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
TV6x3 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 40 MHz-40 至 85C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
TV7x2 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz-20 至 70C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV
TV7x3 TCXO 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-20 至 70C不適用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812選項(xiàng) IV


9x14mm 表面貼裝型

零件編號(hào)產(chǎn)品類型邏輯系列封裝頻率穩(wěn)定性頻率容差頻率校準(zhǔn)電源電壓頻率范圍溫度范圍拉力范圍關(guān)鍵詞
DOT050F 
TCXO系列LVCMOS公司SM 9x14mm+/-50ppb+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz0 至 70C不適用精密 TCXO
TFxD5 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 9x14mm+/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 100 MHz0 至 70C不適用固定頻率
TFxD6 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 9x14mm+/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 100 MHz-40 至 85C不適用固定頻率

  

14 針 DIP

零件編號(hào)產(chǎn)品類型邏輯系列封裝頻率穩(wěn)定性頻率容差頻率校準(zhǔn)電源電壓頻率范圍溫度范圍拉力范圍關(guān)鍵詞
TX14-xx03T
TCXO系列LVCMOS公司14 針 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc1.0 至 100.0 MHz0 至 70C不適用提高性能
TX14-xx04T
TCXO系列Clipped Sinewave14 針 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz0 至 70C不適用提高性能
TX14-xx07T
TCXO系列正弦波14 針 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz0 至 70C不適用提高性能
TX14-xx13T
TCXO系列LVCMOS公司14 針 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc1.0 至 100 MHz-20 至 70C不適用提高性能
TX14-xx14T
TCXO系列Clipped Sinewave14 針 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz-20 至 70C不適用提高性能
TX14-xx17T
TCXO系列正弦波14 針 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz-20 至 70C不適用提高性能
TX14-xx23T
TCXO系列LVCMOS公司14 針 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc1.0 至 100 MHz-40 至 85C不適用提高性能
TX14-xx24T
TCXO系列Clipped Sinewave14 針 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz-40 至 85C不適用提高性能
TX14-xx27T
TCXO系列正弦波14 針 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz-40 至 85C不適用提高性能

更多Connor-Winfield晶振產(chǎn)品可咨詢立維創(chuàng)展。

相關(guān)推薦:

供應(yīng)Connor-Winfield溫度補(bǔ)償晶體振蕩器TCXO 

供應(yīng)Connor-Winfield壓控溫度補(bǔ)償晶體振蕩器VCTCXO 

供應(yīng)Connor-Winfield壓控晶體振蕩器VCXO 

供應(yīng)Connor-Winfield恒溫晶體振蕩器OCXO 

供應(yīng)Connor-Winfield壓控恒溫晶體振蕩器VCOCXO

供應(yīng)Connor-Winfield時(shí)鐘同步發(fā)生器 

供應(yīng)Connor-Winfield頻率轉(zhuǎn)換模塊


推薦資訊

  • DATEL SMD 數(shù)模轉(zhuǎn)換器
    DATEL SMD 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 2021-07-02 17:14:54

    DATAEL 提供很多數(shù)模轉(zhuǎn)換器產(chǎn)物作為規(guī)范微電路圖 (SMD) 模子,受國(guó)防后勤局 (DLA) 監(jiān)視。DATAL 已成為 SMD 提供商跨越三年。DATAEL 的產(chǎn)物通過國(guó)防部產(chǎn)物認(rèn)證決策接續(xù)到達(dá)劃定的機(jī)能、品質(zhì)和可靠性程度。這些 SMD 產(chǎn)物已被證明是滿足行業(yè)非常具搦戰(zhàn)性的使用請(qǐng)求的靠得住辦理計(jì)劃。

  • ADI晶圓化合物半導(dǎo)體材料
    ADI晶圓化合物半導(dǎo)體材料 2021-03-18 17:13:47

    ADI?晶圓的制取包括襯底制取和外延性工藝。襯底是由半導(dǎo)體材料單晶材料制作而成的晶片。該基板可直接進(jìn)入晶圓制造流程以生產(chǎn)制造半導(dǎo)體元器件或外延性晶圓。外延性是指在單晶襯底上生長(zhǎng)一層新單晶的流程。

在線留言

在線留言