- 產(chǎn)品詳情
IRHNS597Z60是抗輻射單通道P溝道MOSFET,-30V,56A,特點(diǎn)為單粒子效應(yīng)強(qiáng)化、低RDS(on)、質(zhì)子耐受、簡單驅(qū)動、密封陶瓷封裝、輕巧,適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動、配電電路、負(fù)載開關(guān)、電池充電。具ESD等級3A,TID級別100krad或300krad,符合MIL-STD-750標(biāo)準(zhǔn),JANS篩選級別。
Part Number | Radiation Level | RDS(on) | lD | QPL Part Number |
IRHNS597Z60 | 100 kRads(Si) | 0.0132 | -56A* | JANSR2N7523U2A |
IRHNS593Z60 | 300 kRads(Si) | 0.0132 | -56A* | JANSF2N7523U2A |