- 產(chǎn)品詳情
DEI3283是一款集成了兩個模擬ARINC 429接收器的器件，能夠接收差分編碼的ARINC電平數(shù)據(jù)并將其轉換為串行TTL電平數(shù)據(jù)。具有以下主要特征：
- 包含兩個獨立的模擬接收器通道，無需外部元件。
- 可將ARINC 429電平轉換為串行數(shù)據(jù)輸出。
- ARINC 429輸入可承受高達+/-200V的電壓，不會損壞DEI3283。
- 支持TTL輸入，用于測試完整的模擬/數(shù)字接收功能。
- 提供TTL和CMOS兼容輸出。
- 低功耗設計，節(jié)省能源。
- 內(nèi)部帶隙基準電壓源，提高穩(wěn)定性。
- 符合MIL-STD-883B老化篩選標準。
- 封裝選項：20 引腳陶瓷 DIP、20 引腳陶瓷 LCC 和 20 引腳 SOIC
- 直接替代 Fairchild/Raytheon RM3283 和 RM3183 以及 Holt HI-8482
產(chǎn)品選型：
| 型號 | 溫度范圍 | 封裝類型 |
| DEI3283-CMB | -55°C - 125°C | 20 CERDIP |
| DEI3283-CMB-G | -55°C - 125°C | 20 CERDIP G |
| DEI3283-CMS | -55°C - 125°C | 20 CERDIP |
| DEI3283-CMS-G | -55°C - 125°C | 20 CERDIP G |
| DEI3283-EMB | -55°C - 125°C | 20 CLCC P |
| DEI3283-EMS | -55°C - 125°C | 20 CLCC P |
| DEI3283-SAB | -40°C - 125°C | 20 SOIC WB |
| DEI3283-SAB-G | -40°C - 125°C | 20 SOIC WB G |
| DEI3283-SAS | -40°C - 125°C | 20 SOIC WB |
| DEI3283-SAS-G | -40°C - 125°C | 20 SOIC WB G |
| DEI3283-SES | -55°C - 85°C | 20 SOIC WB |
| DEI3283-SES-G | -55°C - 85°C | 20 SOIC WB G |
| DEI3283-SMS | -55°C - 125°C | 20 SOIC WB |
| DEI3283-SMS-G | -55°C - 125°C | 20 SOIC WB G |
