- 產品詳情
英飛凌IMBG120R030M1HXTMA1，采用TO-263-7封裝的1200 V, 30 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET。
功能摘要:
極低的開關損耗
短路耐受時間，3 μs
完全可控的 dV/dt
基準柵極閾值電壓，VGS(th) = 4.5 V
可施加對寄生導通、0 V 關斷柵極電壓的魯棒性
堅固耐用的體二極管，用于硬換向
.XT 互連技術可實現(xiàn)一流的熱性能
1200 V 優(yōu)化的 SMD 封裝，具有爬電距離和電氣間隙，PCB 上> 6.1 mm
用于優(yōu)化開關性能的檢測引腳
好處:
效率提升
實現(xiàn)更高的頻率
提高功率密度
減少冷卻工作量
降低系統(tǒng)復雜性和成本
SMD 封裝可直接集成到 PCB 中，具有自然對流冷卻功能，無需額外的散熱器
應用:
驅動器
基礎設施 - 充電器
能源生產 – 太陽能組串逆變器和太陽能優(yōu)化器
工業(yè)電源 – 工業(yè)UPS
| Parametrics | IMBG120R030M1H |
|---|---|
| Ciss | 2290 pF |
| Coss | 105 pF |
| ID (@25°C) max | 56 A |
| Mounting | SMD |
| Operating Temperature min max | -55 °C 175 °C |
| Ptot (@ TA=25°C) max | 300 W |
| Package | TO-263-7 |
| Pin Count | 7 Pins |
| Polarity | N |
| QG | 63 nC |
| Qgd | 15 nC |
| Qualification | Industrial |
| RDS (on) (@ Tj = 25°C) | 30 m? |
| RthJA max | 62 K/W |
| RthJC max | 0.5 K/W |
| Tj max | 175 °C |
| VDS max | 1200 V |
