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Linear Systems的SD210DE/SD214DE和SST210/SST214 N-Channel Lateral DMOS開關

發(fā)布時間：2024-12-02 09:28:52 瀏覽：280

　　Linear Integrated Systems(LIS)的SD210DE/214和SST210/214系列N-Channel Lateral DMOS Switch是為高速應用設計的高性能MOSFETs，適用于音頻、視頻和高頻領域。

Linear Systems的SD210DE/SD214DE和SST210/SST214 N-Channel Lateral DMOS開關

PART NUMBER	VoRjos Min (V)	Vcsjth Max (V)	rDsjon Max(Q	Crss Max(pF)	ton Max(ns)
SD210DE	30	1.5	45@Vgs=10V	0.5	2
SD214DE	20	1.5	45 @Vcs=10V	0.5	2
SST210	30	1.5	50@Vcs=10V	0.5	2
SST214	20	1.5	50@Vgs=10V	0.5	2

　　核心特性

　　極速切換：1納秒的開啟時間，實現快速響應。

　　低電容：0.2皮法的反向電容，優(yōu)化高頻性能。

　　低電阻：在5V時的低導通電阻，提高能效。

　　增強模式：N-Channel設計，簡化驅動電路。

　　性能優(yōu)勢

　　高速性能：支持高速系統(tǒng)，減少信號損失。

　　低損耗：在高頻下保持低插入損耗。

　　易驅動：簡單的驅動要求，適合單電源操作。

　　應用場景

　　模擬開關：快速切換模擬信號。

　　采樣保持：高速采樣和保持電路。

　　圖像處理：像素速率切換。

　　DAC去抖動：數字模擬轉換器的去抖動。

　　信號驅動：高速信號驅動。

　　技術參數

　　擊穿電壓：20V至30V，提供過壓保護。

　　閾值電壓：最大1.5V，確保低功耗。

　　導通電阻：在10V柵源電壓下，最大45Ω。

　　開關時間：開啟時間0.5ns至1ns，關閉時間2ns至6ns。

　　環(huán)境適應性

　　工作溫度：-55°C至125°C。

　　功耗：最大300mW。

　　動態(tài)性能

　　正向跨導：典型值11mS至10.5mS。

　　節(jié)點電容：低至2.5pF。

　　結論

　　SD210DE/214和SST210/214系列MOSFETs以其高速切換、低損耗和寬電壓范圍，成為高速電子應用的理想選擇。無論是在音頻、視頻還是高頻應用中，這些MOSFETs都能提供穩(wěn)定可靠的性能。LIS，一家擁有三十多年歷史的精密半導體公司，以其高質量的離散組件和豐富的行業(yè)經驗，確保了這些產品的性能和可靠性。

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