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Vishay CBA系列薄膜二進(jìn)制MOS電容器

發(fā)布時(shí)間：2024-11-06 09:09:59     瀏覽：33

　　Vishay CBA系列MOS電容器包含四個(gè)不同容量的電容器，容量以二進(jìn)制增量配置，允許用戶在值選擇上有很多選擇。該系列有兩種版本：一種總電容為3.75 pF，另一種總電容為15 pF。

Vishay CBA系列薄膜二進(jìn)制MOS電容器

WV(DC)VALUES        AND        TOLERANCES
CAPACITOR MODELCBA 3.75 pFCBA 15 pFUNIT
Case Slze0203 0203 
Total Capacitance3.75 15 pF
Capacitance Values0.25,0.50,1.0,2.01.0,2.0,4.0,8.0pF
Tolerance±25±10%
DC Working Voltage100 30 V

　　產(chǎn)品特點(diǎn)：

　　可進(jìn)行線焊

　　用戶可自行選擇電容器的值

　　四個(gè)電容器共用一個(gè)連接

　　電容范圍：0.25 pF至15 pF，以二進(jìn)制增量遞增

　　介質(zhì)材料：二氧化硅

　　芯片尺寸：0.019" x 0.030"(約0.48 mm x 0.75 mm)

　　基板材料：帶有金背襯的硅

　　應(yīng)用領(lǐng)域：

　　CBA系列電容器設(shè)計(jì)用于混合封裝，其中微波電路需要微調(diào)。通過(guò)選擇所需電容的焊盤(pán)并使用傳統(tǒng)線焊技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。

　　電氣規(guī)格：

　　電容范圍：0.25至15 pF

　　最大工作電壓：100V

　　25°C時(shí)的峰值電壓：工作電壓的1.5倍

　　1kHz、1VRMS、25°C時(shí)的介電損耗因數(shù)：最大0.1%

　　1mHz、50mVRMS、25°C時(shí)的Q值：至少1000

　　從-55°C至+150°C的溫度系數(shù)(TCC)：+15 ± 25 ppm/°C

　　工作電壓下25°C時(shí)的絕緣電阻：至少10^9 Ω

　　工作溫度范圍：-55至+150°C

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