Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器
發(fā)布時(shí)間:2024-10-22 08:57:02 瀏覽:72
一、產(chǎn)品特點(diǎn)
1. 采用堅(jiān)固MOS結(jié)構(gòu)。
2. 允許多個(gè)線焊點(diǎn),A型外殼最少可接受7個(gè)焊點(diǎn),B型外殼最少可接受15個(gè)焊點(diǎn)。
3. 低介電損耗(D),高Q值,且負(fù)載壽命穩(wěn)定性出色。
二、關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)
1. 絕對(duì)容差低至±5%。
2. 溫度系數(shù)低至±50ppm/°C。
3. 具備堅(jiān)固MOS結(jié)構(gòu),兩種外殼尺寸(120 x 35 mils和240 x 35 mils)均支持多次線焊(A型外殼最少7個(gè)焊點(diǎn),B型外殼最少15個(gè)焊點(diǎn)),且負(fù)載壽命穩(wěn)定性出色。
三、應(yīng)用領(lǐng)域
1. 混合組裝。
2. 低通LC、RC或LRC濾波器。
3. 直流供電的射頻阻斷。
4. 阻抗匹配。
5. SiC或GaN高頻/高功率應(yīng)用。
四、電氣規(guī)格
1. 電容范圍:5 - 100pF。
2. 1kHz下絕對(duì)容差:±5%; -55°C至125°C絕對(duì)溫度系數(shù):±50ppm/°C。
3. 工作溫度:-55至+150°C;最大工作電壓:100V。
4. 1MHz下介電損耗因數(shù)最大為0.01。
5. 1kHz、1000小時(shí)、70°C、100VDC下絕對(duì)值穩(wěn)定性:±0.25%;
額定電壓2倍、25°C、5秒短時(shí)間過(guò)載:±0.25%;
按MIL - STD - 202方法107F熱沖擊:±0.25%;
按MIL - STD - 202方法106*耐濕性:±0.25%;
100小時(shí)、150°C高溫暴露:±0.25%;
-65°C、45分鐘、100VDC低溫操作:±0.25%。
五、機(jī)械規(guī)格
1. 芯片基板材料為硅;介質(zhì)為二氧化硅。
2. 頂部覆蓋層為至少1微米厚的金。
3. 外殼尺寸見(jiàn)“外殼尺寸值和公差”表;無(wú)鈍化。
4. 焊盤(pán)數(shù)量為1;背面覆蓋層(僅限環(huán)氧樹(shù)脂)為TiW/Au。
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