Infineon英飛凌IRF7309TRPBF功率MOSFET
發(fā)布時間:2024-08-26 10:02:03 瀏覽:59
IRF7309TRPBF是一款由IR公司生產(chǎn)的第五代HEXFET?功率MOSFET,它采用了先進的處理技術(shù),旨在實現(xiàn)超低的導(dǎo)通電阻,從而在單位硅面積上達到盡可能低的電阻值。這款器件具有優(yōu)越的速度開關(guān)性能和強健的設(shè)計,使其成為眾多應(yīng)用中的高效設(shè)備。
主要特點:
第五代技術(shù):利用最新的技術(shù)進步,提供優(yōu)化的性能。
超低導(dǎo)通電阻:N溝道為0.050Ω,P溝道為0.10Ω,有助于減少功率損耗。
雙N溝道和P溝道MOSFET:在一個封裝內(nèi)集成了兩種類型的MOSFET,方便設(shè)計。
表面貼裝:適用于自動化組裝,提高生產(chǎn)效率。
提供卷帶包裝:便于大規(guī)模生產(chǎn)中的連續(xù)供應(yīng)。
動態(tài)dv/dt等級:能夠處理快速的電壓變化率,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
快速切換:快速開關(guān)特性有助于提高系統(tǒng)效率。
無鉛:符合環(huán)保標準,減少對環(huán)境的影響。
封裝類型:
SO-8封裝:標準的表面貼裝封裝,適用于多種電路板設(shè)計。
參數(shù):
Parametrics | IRF7309 |
ID (@25°C) max | 4 A ; -3 A |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Ptot (@ TA=25°C) max | 1.4 W |
Package | SO-8 |
Polarity | N+P |
QG (typ @4.5V) | 16.7 nC ; 16.7 nC |
Qgd (typ) | 5.3 nC ; 6 nC |
RDS (on) (@4.5V) max | 80 m? ; 160 m? |
RDS (on) (@10V) max | 50 m? ; 100 m? |
RthJA max | 90 K/W |
Tj max | 150 °C |
VDS max | 30 V ; -30 V |
VGS(th) min | -1 V ; 1 V |
VGS max | 20 V |
IR HiRel原為美國知名半導(dǎo)體品牌,現(xiàn)被Infineon收購。深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢渠道供貨IR高可靠性系列產(chǎn)品,歡迎各界前來咨詢。
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