Solitron SD11720 N溝道功率MOSFET
發(fā)布時間:2024-07-22 10:19:25 瀏覽:94
SD11720是一款由Solitron Devices, Inc.推出的SiC N溝道功率MOSFET,專為高效率和高可靠性的功率電子應用設計。該器件采用了先進的碳化硅(SiC)技術,提供了卓越的電氣性能和熱性能,使其成為各種工業(yè)和能源應用的理想選擇。
主要特點(Key Features)
漏極電流 (I_D): 58A
導通狀態(tài)電阻 (R_DS(on)): 50mΩ
封裝類型: TO-247-3 塑料封裝
優(yōu)勢(Benefits)
SD11720 MOSFET具有多項顯著優(yōu)勢,包括:
低導通電阻的高阻斷電壓: 這使得器件在高壓應用中能夠提供高效率和低損耗。
低電容的高速開關: 高速開關能力減少了開關損耗,提高了整體系統(tǒng)效率。
高工作結溫能力: 能夠在高達175°C的結溫下工作,增強了器件的可靠性和耐久性。
較強的內置體二極管性能: 這對于需要反向恢復特性的應用尤為重要。
應用(Applications)
SD11720 MOSFET廣泛應用于以下領域:
- 太陽能逆變器
- 不間斷電源 (UPS)
- 電機驅動器
- 高電壓直流/直流轉換器
- 開關模式電源
絕對最大額定值(Absolute Maximum Ratings)
SYMBOL CHARACTERISTIC TEST CONDITIONS VALUE UNIT | ||||
Vosmx | Drain-Source Voltage | Vs=0V,I=100μA | 1200 | V |
Gate-SourceVoltage | Absolute maximum values | -5/+20 | V | |
l | Continuous Drain Current (see fig.21) | V=20V,T=25℃ Vs=20V,T[=100℃ | 58 43 | A A |
D,pulse | Pulsed Drain Current (see fig.24) | Pulse Width Limited by SOA | 15 | A |
P | Maximum Power Dissipation (see fig.22) | T=25℃ | 327 | W |
T,Tsm | Junction Temperature,Operatingand Storage | -55 to +175 | ℃ | |
I | Solder Temperature | Wave solderingonly allowed at leads,1.6mm from case for 10s | 260 | ℃ |
SD11720 MOSFET的高性能和廣泛的應用范圍使其成為功率電子領域的關鍵組件。無論是用于太陽能逆變器、不間斷電源、電機驅動器還是高電壓DC/DC轉換器,SD11720都能提供卓越的性能和可靠性,滿足現(xiàn)代功率電子系統(tǒng)對高效率和高可靠性的要求。
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