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F3L150R07W2E3_B11三級(jí)相位支路IGBT模塊Infineon英飛凌

發(fā)布時(shí)間：2024-04-26 09:15:51     瀏覽：196

F3L150R07W2E3_B11三級(jí)相位支路IGBT模塊Infineon英飛凌

　　F3L150R07W2E3_B11是一款由Infineon英飛凌公司推出的三級(jí)相位支路IGBT模塊，具有以下特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：

　　特征描述:

　　1. 采用第三代 TRENCHSTOP? IGBT技術(shù)，提高了阻斷電壓能力，達(dá)到650V;

　　2. 低電感設(shè)計(jì)，有助于減少系統(tǒng)中的電磁干擾;

　　3. 低開(kāi)關(guān)損耗，有助于提高效率和節(jié)能;

　　4. 低 VCEsat，減少了功率損耗;

　　5. 采用低熱阻Al2O3基板，有助于散熱，提高性能穩(wěn)定性;

　　6. 緊湊型設(shè)計(jì)，占用空間小，適合需要高集成度的應(yīng)用;

　　7. PressFIT 壓接技術(shù)，方便安裝維護(hù);

　　8. 集成的安裝夾使安裝更堅(jiān)固，提高了系統(tǒng)的可靠性。

　　優(yōu)勢(shì):

　　1. 緊湊模塊的概念，適合空間有限的應(yīng)用場(chǎng)合;

　　2. 優(yōu)化客戶的開(kāi)發(fā)周期，降低成本，有助于客戶節(jié)約時(shí)間和成本;

　　3. 靈活的配置，可以滿足不同客戶的需求，提供個(gè)性化的選擇。

onfiguration3-level
Dimensions (width)48 mm
Dimensions (length)56.7 mm
FeaturesPressFIT ; Phase leg
HousingEasyPACK? 2B
IC(nom) / IF(nom)150 A
IC   max150 A
QualificationIndustrial
TechnologyIGBT3 - E3
VCE(sat) (Tvj=25°C typ)1.45 V
VCES / VRRM650 V
VF (Tvj=25°C typ)1.55 V
Voltage Class   max650 V

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，優(yōu)勢(shì)分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線，快速交付，歡迎聯(lián)系。

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