Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN單P溝道抗輻射MOSFET
發(fā)布時間:2024-04-11 09:25:34 瀏覽:271
Infineon英飛凌JANSR2N7626UBN這款單P溝道MOSFET產(chǎn)品具備多種出色的特性和應用。它擁有抗輻射能力,能夠承受高達100 krad(Si)TID的輻射水平。在電氣性能上,該產(chǎn)品具有-60V的電壓等級和-0.53A的輸出電流。其采用單通道設計,同時提供P溝道功能,以及UB封裝-UBN的封裝形式。
此外,JANSR2N7626UBN還具有多種顯著特性,如單粒子效應(SEE)強化、5V CMOS和TTL兼容性、快速切換能力、低總澆口電荷、簡單的驅(qū)動要求以及密封設計。它采用表面貼裝方式,具有重量輕的優(yōu)點,并且提供了互補的N溝道型號,如IRHLUB770Z4、IRHLUBN770Z4、IRHLUBC770Z4和IRHLUBCN770Z4。此外,該產(chǎn)品還具有0級的ESD等級,符合MIL-STD-750方法1020標準。
在應用領域方面,JANSR2N7626UBN單P溝道MOSFET適用于多種場景,包括用于FPGA、ASIC和DSP內(nèi)核軌的負載點(PoL)轉(zhuǎn)換器、同步整流、有源ORing電路、配電電路以及負載開關等。
產(chǎn)品型號:
Part number | Package | Screening Level | TID Level |
RHLUB7970Z4 | UB | COTS | 100 krad(Si) |
JANSR2N7626UB | UB | JANS | 100 krad(Si) |
RHLUB7930Z4 | UB | COTS | 300 krad(Si |
JANSF2N7626UB | UB | JANS | 300 krad(Si |
RHLUBN7970Z4 | UBN | COTS | 100 krad(Si) |
JANSR2N7626UBN | UBN | JANS | 100 krad(Si) |
RHLUBN7930Z4 | UBN | COTS | 300 krad(Si) |
JANSF2N7626UBN | UBN | JANS | 300 krad(Si) |
RHLUBC7970Z4 | UBC | COTS | 100 krad(Si) |
JANSR2N7626UBC | UBC | JANS | 100 krad(Si) |
RHLUBC7930Z4 | UBC | COTS | 300 krad(Si) |
JANSF2N7626UBC | UBC | JANS | 300 krad(Si) |
RHLUBCN7970Z4 | UBCN | COTS | 100 krad(Si) |
JANSR2N7626UBCN | UBCN | JANS | 100 krad(Si) |
RHLUBCN7930Z4 | UBCN | COTS | 300 krad(Si) |
JANSF2N7626UBCN | UBCN | JANS | 300 krad(Si) |
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