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TI 德州儀器TPS50601A-SP是一款耐輻射的同步降壓轉(zhuǎn)換器，能夠提供7V、6A的輸出電壓。這款轉(zhuǎn)換器具有高效率，并集成了高側(cè)和低側(cè)MOSFET，非常適合小型設(shè)計(jì)。它通過電流模式控制減少了組件數(shù)量，通過高開關(guān)頻率縮小了電感器封裝尺寸，從而進(jìn)一步節(jié)省空間。該器件采用超小尺寸的熱增強(qiáng)型20引腳陶瓷扁平封裝。

通過SS/TR引腳控制，可以實(shí)現(xiàn)輸出電壓啟動斜坡，從而實(shí)現(xiàn)獨(dú)立電源或跟蹤狀態(tài)的運(yùn)行。此外，正確配置時可以啟用電源排序功能，利用開漏電源正常引腳。TPS50601A-SP還可以配置為主/從模式，提供高達(dá)12A的輸出電流。

高側(cè)FET采用逐周期電流限制，可以在過載情況下保護(hù)器件，并通過低側(cè)電流限流防止電流失控，實(shí)現(xiàn)功能增強(qiáng)。此外，低側(cè)吸收電流限制功能可關(guān)閉低側(cè)MOSFET，以預(yù)防過多的反向電流。當(dāng)芯片溫度超過熱關(guān)斷溫度時，熱關(guān)斷功能將禁用此器件。

選型：

TPS50601A-SP具有如下特點(diǎn)：

1. 耐輻射性能：可承受高達(dá)100krad(Si)的總離子劑量損壞，而且不會因低劑量率輻射損傷增強(qiáng)(ELDRS)而發(fā)生變化。

2. 單粒子鎖定(SEL)抗擾度：對于LET值為75MeV-cm2/mg的顆粒具有強(qiáng)抗干擾能力。

3. 抗 SEB(Single Event Burnout)和 SEGR(Single Event Gate Rupture)：在75MeV-cm2/mg的情況下，提供了適應(yīng)性與狀態(tài)曲線。

4. 提供SET/SEFI橫截面圖，幫助了解單事件翻轉(zhuǎn)和單事件故障抗擾度。

5. 高效率：峰值效率可達(dá)96.6%(VO=3.3V)，有效節(jié)省能源。

6. 集成MOSFET：集成了58m?/50m?的高側(cè)和低側(cè)功率開關(guān)MOSFET，簡化了設(shè)計(jì)，提高了效率。

7. 輸入電壓范圍：電源軌為3至7V，最大輸出電流為6A，適用于多種應(yīng)用。

8. 靈活的開關(guān)頻率選項(xiàng)：內(nèi)部振蕩器可調(diào)節(jié)100kHz至1MHz，支持外部同步功能頻率范圍為100kHz至1MHz。

9. 保護(hù)功能：支持過欠壓鎖定、軟啟動、電源定序、輸入欠壓鎖定等多種保護(hù)功能，保障穩(wěn)定運(yùn)行。

10. 封裝和適用性：采用20引腳的超小型耐熱增強(qiáng)型陶瓷扁平封裝，適用于太空應(yīng)用等特殊環(huán)境下的使用需求。

       深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司，專注于TI 德州儀器品牌高端可出口產(chǎn)品系列新品產(chǎn)品，并備有現(xiàn)貨庫存，可當(dāng)天發(fā)貨。