Solitron SD11487 SiC半橋電源模塊
發(fā)布時間:2024-01-18 09:21:54 瀏覽:879
Solitron Devices SD11487是業(yè)界首款用于高可靠性應(yīng)用的密封碳化硅 (SiC) 功率模塊。
51mm x 30mm x 8mm 外形采用獨特的密封封裝形式,是市場上最小的密封高可靠性、高電壓半橋產(chǎn)品。集成格式可最大限度地提高功率密度,同時最大限度地降低環(huán)路電感。用于功率輸出級的 60 mil 引腳隔離在封裝的一側(cè),以實現(xiàn)簡單的電源總線,而用于控制信號的另一側(cè)則隔離了 30 mil 引腳。
SD11487為半橋配置,帶有兩個1200V 12mΩ SiC MOSFET。該模塊中還包括兩個與MOSFET并聯(lián)的續(xù)流1200V SiC肖特基二極管和一個集成NTC溫度傳感器。額定連續(xù)漏極電流為 95A。
該SD11487的工作溫度為 -55°C 至 175°C,專為最苛刻的應(yīng)用而設(shè)計,例如井下勘探;空間;和航空電子設(shè)備。密封銅封裝與氮化鋁直接鍵合銅基板相結(jié)合,可提供出色的導(dǎo)熱性和外殼隔離性。集成的溫度檢測可實現(xiàn)高電平溫度保護(hù)。
與同類最佳的硅MOSFET和IGBT相比,碳化硅具有出色的開關(guān)性能,并且隨溫度的變化最小。由于能量損耗和反向充電顯著降低,因此效率水平高于硅,從而在接通和關(guān)斷階段產(chǎn)生更高的開關(guān)功率和更少的能量。結(jié)合高開關(guān)頻率,這意味著更小的磁性元件,大大減輕了系統(tǒng)的重量和尺寸。
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ADI?晶圓的制取包括襯底制取和外延性工藝。襯底是由半導(dǎo)體材料單晶材料制作而成的晶片。該基板可直接進(jìn)入晶圓制造流程以生產(chǎn)制造半導(dǎo)體元器件或外延性晶圓。外延性是指在單晶襯底上生長一層新單晶的流程。
其中最重要的射頻分立器件包括PIN二極管、肖特基二極管和射頻晶體管。在選擇這些器件時,工程師需要考慮各種標(biāo)準(zhǔn),例如性能、系統(tǒng)靈敏度、抗干擾性和效率。雖然組件性能當(dāng)然起著重要作用,但尺寸和多功能性也起著重要作用。隨著終端產(chǎn)品越來越小,各種封裝類型的高性能器件的可用性是關(guān)鍵。這使得設(shè)計人員能夠在太小的空間內(nèi)實現(xiàn)所需的設(shè)計。
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