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  Linear Systems 2N4351 N通道增強型MOSFET 2025-03-31 09:11:10

  Linear Systems 2N4351 是一款 N 溝道增強型 MOSFET，采用 TO-72 4 引腳封裝，可直接替代 Intersil 2N4351，具有高跨導(dǎo)增益（1000μS）、低導(dǎo)通電阻（300Ω）、低漏電流（10nA）和快速開關(guān)特性（開啟延遲 ≤45ns，關(guān)閉延遲 ≤60ns），適用于開關(guān)電源、信號處理、模擬開關(guān)和保護電路等高頻、高精度應(yīng)用。其最大漏極電流為 20mA，耐壓 25V，工作溫度范圍 -55°C 至 +150°C，連續(xù)功耗 350mW。

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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。