MICRON DDR2 內(nèi)存
發(fā)布時(shí)間:2021-07-09 17:01:56 瀏覽:985
MICRON在技術(shù)創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)域出現(xiàn)全球現(xiàn)實(shí),狀況MICRON方案加快了數(shù)據(jù)信息智能化的轉(zhuǎn)換,鼓勵(lì)著全球以解決速率學(xué)習(xí)培訓(xùn)、溝通交流和進(jìn)步。MICRON提供世界上最廣泛的技術(shù)應(yīng)用組合,作為當(dāng)今社會最重要的突發(fā)性突破的核心理念,如人工智能技術(shù)和自動駕駛汽車。
MICRON DDR2 內(nèi)存
Width:x8, x16
Voltage:1.8V
Package:FBGA
Clock Rate:400 MHz
Op. Temp:0C to +85C, -40C to +95C, -40C to +105C, -40C to 125C
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,以庫存MICRON高可靠性內(nèi)存顆粒芯片和工業(yè)級內(nèi)存條為特色產(chǎn)品優(yōu)勢。歡迎咨詢合作。
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功能/選項(xiàng) | DDR2 | DDR3 | DDR3優(yōu)勢 |
電壓(內(nèi)核和 I/O) | 1.8V | 1.5V | 降低內(nèi)存系統(tǒng)電源需求 |
標(biāo)準(zhǔn)低壓選項(xiàng) | 不 | 是 (1.35V) | 提供與 1.5V 標(biāo)準(zhǔn) DDR3 匹配的低電壓 DDR2 |
密度(生產(chǎn)) | 256Mb 至 4Gb | 1Gb 至 4Gb | 高密度組件以更少的芯片數(shù)量實(shí)現(xiàn)大內(nèi)存子系統(tǒng) |
預(yù)?。?/span>MIN WRITE 突發(fā)) | 4 位 | 8 位 | 降低核心速度依賴性以提高產(chǎn)量 |
t CK - DLL 已啟用 | 125 兆赫至 400 兆赫 | 300 兆赫至 800 兆赫 | 支持更高的數(shù)據(jù)速率 |
數(shù)據(jù)速率(每針 MT/s) | 533、667、800 Mb/s | 800,1066,1333,1600 Mb/s | 遷移到更高的數(shù)據(jù)帶寬 |
突發(fā)長度 (BL) | BL4、BL8 | BC4、BL8 | BC4 減輕了一些“BL8”要求 |
突發(fā)類型 | 固定,通過 LMR | (1) 固定,通過 MRS | OTF 允許在沒有 MRS 命令的情況下在 BC4 和 BL8 之間切換 |
數(shù)據(jù)選通 | 差分或單端 | 僅差速器 | 通過減少選通串?dāng)_提高系統(tǒng)時(shí)序裕度 |
ODT(芯片端接) | R TT : 50, 75, 150 歐姆 | R T T : 20,30,40,60,120 歐姆 | 更多 ODT 選項(xiàng)可提高信號保真度并支持更高的數(shù)據(jù)速率 |
動態(tài) ODT | 沒有任何 | 120, 60 歐姆 | 改進(jìn)了多個(gè)時(shí)隙中的信令;點(diǎn)對點(diǎn)應(yīng)用中的引腳減少 |
DQ 驅(qū)動器阻抗 | 18 歐姆 | 34 歐姆 | 針對 2 插槽和點(diǎn)對點(diǎn)系統(tǒng)進(jìn)行了優(yōu)化 |
驅(qū)動器/ODT 校準(zhǔn) | 沒有任何 | 外接電阻 | 提高電壓和溫度范圍內(nèi)的精度 |
多用途寄存器 (MPR) | 沒有任何 | 四個(gè)寄存器 - 1 個(gè)定義 3 個(gè) RFU | 支持讀取校準(zhǔn) |
寫調(diào)平 | 沒有任何 | DQS 捕獲 CK,DQ | 校正模塊使用的飛越布局 |
模塊 | 240 針 SODIMM(無緩沖、寄存、全緩沖) | 240 針 UDIMM;RDIMM、FBDIMM 待定; | 改進(jìn)的布局、更多的外形和供電設(shè)計(jì);DDR3 也采用了 fly-by 架構(gòu) |
芯片組支持 | Legacy | 最新的 | 較新的芯片組功能 |
附加延遲 | 是的 | 是的 | 具有 CAS 延遲的曲目 |
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