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ADI晶圓各種材料工藝對(duì)應(yīng)輸出功率及頻率

發(fā)布時(shí)間:2021-05-21 17:09:32     瀏覽:974

在電子器件中,射頻和功率應(yīng)用是主要的。GaN on SiCGaN自支撐襯底、GaAs襯底、GaAs on Si主要用于射頻半導(dǎo)體(射頻前端PA),而Gan on SiSiC襯底主要用于功率半導(dǎo)體(汽車(chē)電子學(xué)等)

由于其高功率密度,GaN在基站大功率器件領(lǐng)域具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。與硅襯底相比,SiC襯底具有更好的導(dǎo)熱特性。目前,工業(yè)上95%以上的GaN射頻器件使用SiC襯底,如Qorvo是基于SiC襯底的,硅基GaN器件可以在8英寸的晶片上制作,具有更高的成本優(yōu)勢(shì)。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中,SiC襯底與GaN on Silicon的競(jìng)爭(zhēng)僅占該領(lǐng)域的一小部分。GaN市場(chǎng)主要集中在低壓領(lǐng)域,而SiC主要用于高壓領(lǐng)域。他們的邊界約為600 V

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