Renesas RE Cortex-M 超低功耗SOTB MCU
發(fā)布時間:2021-03-03 17:17:18 瀏覽:818
Renesas RE Cortex-M超低功耗SOTBMCU使用ARM Cortex M核,該核心基于世界上最高的基于硅薄氧化物埋層(SOTB)工業(yè)技術的超低功耗MCU。在EEMBC ULPMark基準中,ULPMark-CP評分非常高,達到705。
Renesas RE Cortex-M超低功耗SOTB MCU基于RE系列硅薄氧化物埋層(SOTB)技術,實現(xiàn)了待機模式和低壓(1.62V)高速CPU工作(64 MHz)下的超低電流消耗,但傳統(tǒng)的主硅工藝不能做到這一點。RE01已通過EEMBC認證,在EEMBC ULPMark基準中,ULPMark-CP評分非常高,達到705分。EEMBC ULPMark標準為比較超低功耗單片機的能量效率提供了一種標準方法。此外,在內置的能量采集控制電路的幫助下,該設備可以使用能量采集電源在環(huán)境能量很弱的情況下工作。
Renesas RE Cortex-M 超低功耗SOTBMCU可顯著延長電池壽命,并可提供高性能的小型電池和能源獲取電源。RE系列產(chǎn)品適用于多種物聯(lián)網(wǎng)應用,如混合電子表、智能家居/建筑、保健、智能建筑、結構監(jiān)測、跟蹤器等。
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